Компания Samsung объявила о вводе в строй предприятия Line-16, предназначенного для выпуска микрочипов памяти DDR3 DRAM и NAND Flash. Строительство 12-этажного завода было начато в мае 2010 года, а установка оборудования завершилась в мае 2011-го. Инвестиции в проект составили около 10 миллиардов долларов. Samsung отмечает, что Line-16 — это самое крупное предприятие такого рода: общая площадь полезных помещений достигает 198 тысяч квадратных метров.
На заводе уже организован первый в отрасли массовый выпуск 20-нанометровых микрочипов DDR3 DRAM емкостью 2 Гбит. По заявлению производителя, такие изделия по сравнению с 30-нанометровыми чипами характеризуются на 40% меньшим энергопотреблением. Кроме того, применение более "тонкого" техпроцесса позволяет на 50% повысить продуктивность.
До конца года будет освоено производство 20-нанометровых микрочипов DDR3 DRAM емкостью 4 Гбит. Такие изделия найдут применение в модулях памяти объемом 4, 8, 16 и 32 Гб. На Line-16 также начался выпуск 20-нанометровых высокопроизводительных микрочипов флеш-памяти NAND.